High Power IGBT aluminium kylfläns

Motorstyrenhet Insulated Gate Bipolar Transistor (Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT) värmeavledningsprestanda blir alltmer motor-IGBT som nu går in på den industriella kraftelektronikmarknaden, såsom (svets-) kylfläns, traktionsväxelriktare, motordrivning, etc.Ruiqifengtillhandahåller IGBT kylflänsmonteringsprodukter som gör att IGBT kan arbeta vid en hölje med högre temperatur samtidigt som arbetsövergångstemperaturen hålls inom ett säkert område genom att kombinera lågt termiskt motstånd med Vce(on)-kisel.

IGBT fungerar i de flesta fall med en högeffektsenhet, hög effekt betyder högre värmeavledning, IGBT är mot stor kapacitet, hög frekvens, lätt att köra, låg förlust, modulär, pekar ut utvecklingsriktningen, jämfört med andra kraftelektronikenheter, IGBT kylfläns har hög tillförlitlighet, enkel drivning, lätt att skydda, det finns ingen buffertkrets och växlingsfrekvensen är hög, så IGBT kylflänsen på den elektroniska marknaden blir mycket nödvändig.För att uppnå dessa höga prestanda används många processer i integrerade kretsar, såsom epitaxi, jonimplantation, finlitografi, etc. Under de senaste åren har prestanda för kraft-IGBT-modulens kylfläns förbättrats snabbt, märkströmmen har nått hundratals ampere, tålspänningen på mer än 1500V, och håller fortfarande på att förbättras.Eftersom IGBT-enheter har positiva egenskaper hos PIN-dioden, skiljer sig egenskaperna hos p-kanals effekt IGBT-modulens kylfläns inte mycket från egenskaperna hos n-kanals IGBT, vilket är mycket gynnsamt för att anta en komplementär struktur i applikationen och därmed expandera dess tillämpning inom området för växelström och digital styrteknik.Den största fördelen med IGBT är att den kan motstå strömchock i antingen på eller kortslutning.Dess parallellkoppling är inget problem och seriekopplingen är enkel på grund av dess korta avstängningsfördröjning.

IGBT värmeöverföringslägen inkluderar vanligtvis luftkylning, vattenkylning, koppar kylfläns eller aluminium kylfläns.Dess värmeavledning är baserad på den grundläggande principen för värmeöverföring, en värmeflödesväg med det lägsta termiska motståndet är utformad för enheten så att värmen som avges av enheten kan avges så snart som möjligt, för att säkerställa att den interna kopplingstemperaturen för enheten hålls alltid inom den tillåtna kopplingstemperaturen.

För närvarande inkluderar den befintliga IGBT-värmerörskylplattan på marknaden huvudsakligen värmeavledningsfena, värmerör och substrat, på vilka substratet är försett med ett antal parallella spår, och sedan svetsas spåret med lod till förångningsdelen av värmeröret.I den befintliga kylflänstekniken från IGBT, är värmerörets förångningssektion begravd i substratets spår och passar inte direkt på IGBT-ytan.I arbetsprocessen exporteras värmen från IGBT-ytan först genom substratet och överförs sedan till värmeröret och kylflänsen.Slutligen överförs värmen från kylflänsen till luften genom konvektion.Eftersom själva substratet har värmeresistans och värmeledningskoefficienten för värmeröret är mycket högre än basens, är värmeledningseffektiviteten hos värmerörets kylfläns begränsad och värmeavledningsprestandan minskar.IGBT kylfläns kan överföra värmen jämnt från substratet till fenan, vilket effektivt kan lösa värmeavledningsproblemet med högt värmeflöde, inte bara med hög effektivitet utan också med en kompakt struktur och inga rörliga delar, vilket verkligen kan realisera underhåll- fri.